H11D3SR2M, Транзисторные выходные оптопары Phototransistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание H11D3SR2M
| Серия | H11D3M |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 810 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 8.89 mm |
| Ширина | 6.6 mm |
| Высота | 3.53 mm |
| Упаковка / блок | SMD-DIP-6 |
| Конфигурация | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Тип выхода | NPN Phototransistor |
| Количество каналов | 1 Channel |
| If - прямой ток | 80 mA |
| Vr - обратное напряжение | 6 V |
| Напряжение изоляции | 7500 Vrms |
| Максимальный коллекторный ток | 100 mA |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 200 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара