BFU730F.115, рч биполярные транзисторы npn wideband silicon germanium rf trans
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
BFU730F.115
Описание BFU730F.115
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Вес изделия | 6.665 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Тип | RF Silicon Germanium |
| Упаковка / блок | SOT343F-4 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 2.2 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Высота | 0.75 mm |
| Рабочая частота | 55 GHz |
| Pd - рассеивание мощности | 197 mW |
| Технология | SiGe |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.8 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 10 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 555 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 205 |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара