NTMFS4C10NAT1G, моп-транзистор nfet so8fl 30v 46a 6
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание NTMFS4C10NAT1G
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | NTMFS4C10N |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 23.6 W |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 46 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Qg - заряд затвора | 18.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара