BD435G, Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 22V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
109,02 руб.
Нет в наличии
Описание BD435G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | BD435 |
| Упаковка | Bulk |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Длина | 7.74 mm |
| Ширина | 2.66 mm |
| Высота | 11.04 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 36000 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BD435G , Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 22V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 263 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара