SISS98DN-T1-GE3, моп-транзистор 200v vds 20v vgs powerpak 1212-8s

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

МОП-транзистор 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Код товара: 10204783
Дата обновления: 16.09.2021 08:20
Доставка SISS98DN-T1-GE3 , МОП-транзистор 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание SISS98DN-T1-GE3

УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
СерияSIS
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота1.04 mm
Длина3.3 mm
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
ТехнологияSi
Ширина3.3 mm
Вид монтажаSMD/SMT
ECCNEAR99
Коммерческое обозначениеThunderFET, PowerPAK
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности57 W
КонфигурацияSingle
Время спада16 ns
Время нарастания16 ns
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Id - непрерывный ток утечки14.1 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Qg - заряд затвора18.2 nC
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16.5 S
Типичное время задержки выключения16 ns
Типичное время задержки при включении8 ns