STGB40H65FB, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) ptd igbt & ipm
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGB40H65FB
Описание STGB40H65FB
| Серия | STGB40H65FB |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 1.380 g |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 283 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара