TTC008(Q), биполярные транзисторы - bjt npn pwr amp trans 1.5a ic 3a 1.1w
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TTC008(Q)
Описание TTC008(Q)
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | TTC008 |
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 285 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 600 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара