FQD17N08LTM, МОП-транзистор 80V N-Channel QFET Logic Level
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
95,96 руб.
Нет в наличии
Описание FQD17N08LTM
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FQD17N08L |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Тип | MOSFET |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 11.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11.7 S |
| Время спада | 75 ns |
| Время нарастания | 290 ns |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FQD17N08LTM , МОП-транзистор 80V N-Channel QFET Logic Level
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 234 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара