STGB30H60DLFB, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
368,59 руб.
Нет в наличии
Описание STGB30H60DLFB
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | STGB30H60DLFB |
| Вес изделия | 1.380 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 260 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Конфигурация | Single |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGB30H60DLFB , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 280 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 363 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара