NSVIMD10AMT1G, биполярные транзисторы - с предварительно заданным током смещения surf mt biased res xstr
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SURF MT BIASED RES XSTR
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NSVIMD10AMT1G
Описание NSVIMD10AMT1G
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | IMD10AMT1G |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 13.430 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SC-74R-6 |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.01 |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 285 mW |
| Выходное напряжение | 0.2 VDC, 4.9 VDC |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 68 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара