STGWT60H65FB, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) 650v 60a hspd trench gate field-stop igbt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGWT60H65FB
Описание STGWT60H65FB
| Упаковка / блок | TO-3P |
|---|---|
| Серия | STGWT60H65FB |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара