2SCR502U3T106, биполярные транзисторы - bjt npn gen purpse trans umt3
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SCR502U3T106
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | UMT-3 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара