BC856B RF, биполярные транзисторы - bjt sot-23 -80v -0.1a pn p bipolar transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SOT-23 -80V -0.1A PN P Bipolar Transistor
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Артикул:
BC856B RF
Описание BC856B RF
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Вес изделия | 1.438 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара