STD11N65M2, моп-транзистор n-channel 650 v, 0.6 ohm typ., 7 a mdmesh m2 power моп-транзистор in dpak package
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in DPAK package
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STD11N65M2
Описание STD11N65M2
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
|---|---|
| Серия | STD11N65M2 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh II Plus |
| Pd - рассеивание мощности | 85 W |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 670 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 12.5 nC |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара