PBSS4230PANP.115, Биполярные транзисторы - BJT 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Цена от:
29,16 руб.
Нет в наличии
Описание PBSS4230PANP.115
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | DFN2020-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 7.265 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1450 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 60 mV, - 75 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250, 260 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz, 95 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 380, 370 |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка PBSS4230PANP.115 , Биполярные транзисторы - BJT 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
