STGWT80H65FB, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание STGWT80H65FB
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3P |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Серия | STGWT80H65FB |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 469 W |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGWT80H65FB , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 246 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
