2SD1805G-E, биполярные транзисторы - bjt bip npn 5a 20v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SD1805G-E
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Серия | 2SD1805 |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара