2SD1805G-E, Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20V
Наименование:
2SD1805G-E
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
47,62 ₽
Нет в наличии
Описание 2SD1805G-E
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Серия | 2SD1805 |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2SD1805G-E , Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 20V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 290 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара