STGWT20IH125DF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
412,21 руб.
Нет в наличии
Описание STGWT20IH125DF
| Упаковка / блок | TO-3P |
|---|---|
| Серия | STGWT20IH125DF |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 259 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.25 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.55 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGWT20IH125DF , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 231 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2213 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара