SIHG70N60AEF-GE3, МОП-транзистор 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
Цена от:
1 210,63 руб.
Нет в наличии
Описание SIHG70N60AEF-GE3
| Вес изделия | 6 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | EF |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 417 W |
| Время спада | 113 ns |
| Время нарастания | 104 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 35.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 410 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 219 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 23 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHG70N60AEF-GE3 , МОП-транзистор 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2180 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара