PBSS4260PAN,115, Биполярные транзисторы - BJT 60V 2A NPN/NPN lo VCEsat transistor

Код товара: 10220058

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
PBSS4260PAN,115
Производитель:

Описание PBSS4260PAN,115

Упаковка / блокDFN2020-6
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Pd - рассеивание мощности1450 mW
Вес изделия7.200 mg
ECCNEAR99
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Полярность транзистораNPN
КонфигурацияDual
КвалификацияAEC-Q101
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер70 mV
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.430
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)290
Непрерывный коллекторный ток2 A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка PBSS4260PAN,115 , Биполярные транзисторы - BJT 60V 2A NPN/NPN lo VCEsat transistor в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.