TTD1409B,S4X, биполярные транзисторы - bjt pwr mos pd=25w f=1mhz
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PWR MOS PD=25W F=1MHZ
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TTD1409B,S4X
Описание TTD1409B,S4X
| Упаковка / блок | TO-126N-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | TTD1409B |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 1.700 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара