2N5551TF, Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose

Код товара: 10221592

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2N5551TF

Описание 2N5551TF

УпаковкаReel, Cut Tape
Серия2N5551
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота4.7 mm
Длина4.7 mm
Упаковка / блокTO-92-3 Kinked Lead
Ширина3.93 mm
Вес изделия240 mg
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
Pd - рассеивание мощности625 mW
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz
Непрерывный коллекторный ток0.6 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка 2N5551TF , Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.