2N4403TAR, Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor General Purpose
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor General Purpose
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
2N4403TAR
Описание 2N4403TAR
| Упаковка | Ammo Pack |
|---|---|
| Серия | 2N4403 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Ширина | 3.93 mm |
| Вес изделия | 240 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара