NSV20201LT1G, биполярные транзисторы - bjt 20v npn low vce(sat) xtr
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NSV20201LT1G
Описание NSV20201LT1G
| Серия | NSS20201L |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Pd - рассеивание мощности | 460 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 500 mA, 2 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара