2SD1628G-TD-H, биполярные транзисторы - bjt bip npn 5a 20v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SD1628G-TD-H
| Серия | 2SD1628 |
|---|---|
| Вес изделия | 130.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
| Технология | Si |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 95 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара