IXFN180N15P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFN180N15P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 150V, 150A, ISOTOP; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:150V; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; Power Dissipa 03AH0725
В упаковке:
10 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
2 564,74 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN180N15P
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXFN180N15 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 25.42 mm |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 680 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Время спада | 36 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Типичное время задержки выключения | 150 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFN180N15P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара