IXTA6N50D2
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTA6N50D2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:0V; Gate Source Thresho 03AH1402
В упаковке:
50 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
1 126,68 руб.
Нет в наличии
Описание IXTA6N50D2
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXTA6N50 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Depletion Mode MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 9.65 mm |
| Ширина | 10.41 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 96 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 43 ns |
| Время нарастания | 72 ns |
| Типичное время задержки выключения | 82 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.8 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTA6N50D2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара