STGB19NC60HDT4, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) n ch 600v 19a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19A
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGB19NC60HDT4
Описание STGB19NC60HDT4
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
|---|---|
| Серия | STGB19NC60HDT4 |
| Вес изделия | 2.240 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 10.4 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Высота | 4.6 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара