NSVMMBT2907AWT1G, биполярные транзисторы - bjt ss sc70 gp xstr pnp 60v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 60V
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NSVMMBT2907AWT1G
Описание NSVMMBT2907AWT1G
| Серия | MMBT2907AW |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 5 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 340 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара