FQB34N20TM-AM002, МОП-транзистор 200V N-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
379,50 руб.
Нет в наличии
Описание FQB34N20TM-AM002
| Тип | MOSFET |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 10.67 mm |
| Ширина | 9.65 mm |
| Высота | 4.83 mm |
| Серия | FQB34N20 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 1.312 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 3.13 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 78 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 115 ns |
| Время нарастания | 280 ns |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FQB34N20TM-AM002 , МОП-транзистор 200V N-Channel QFET
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 258 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара