NSVMMUN2235LT1G, Биполярные транзисторы - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
Артикул:
NSVMMUN2235LT1G
Производитель:
Описание NSVMMUN2235LT1G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 246 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 140 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара