IRF520SPBF, МОП-транзистор N-Channel 100V
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IRF520SPBF
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Серия | IRF |
| Вес изделия | 1.438 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 3.7 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара