IPI530N15N3GXKSA1, моп-транзистор n-ch 150v 21a i2pak-3
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 150V 21A I2PAK-3
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IPI530N15N3GXKSA1
Описание IPI530N15N3GXKSA1
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 9.45 mm |
| Длина | 10.2 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Вес изделия | 2.084 g |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 9 ns |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара