PSMN015-100YLX, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
PSMN015-100YLX
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 100V, 69A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:69A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0116ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
94,83 руб.
Внешние склады
-
75+ 109+ 217+ 1085+115,81 ₽ 99,87 ₽ 97,35 ₽ 94,83 ₽Срок:25 днейНаличие:1 500Минимум:Мин: 75Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание PSMN015-100YLX
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 84.380 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | LFPAK56-5 |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 69 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Qg - заряд затвора | 86.3 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 195 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 59 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка PSMN015-100YLX
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 347 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1312 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 429 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 266 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара