SIHD12N50E-GE3, моп-транзистор 500v vds 30v vgs dpak (to-252)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SIHD12N50E-GE3
| Вес изделия | 1.438 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | E |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 114 W |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 25 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара