IGD01N120H2, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
153,76 руб.
Нет в наличии
Описание IGD01N120H2
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | IGD01N120 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Высота | 2.3 mm |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Технология | Si |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 3.2 A |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IGD01N120H2 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара