BC857CLT3G, Биполярные транзисторы - BJT 45V 100mA PNP SILCON
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 45V 100mA PNP SILCON
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
BC857CLT3G
Описание BC857CLT3G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | BC857CL |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Длина | 2.9 mm |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.94 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 420 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара