IMW120R140M1HXKSA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IMW120R140M1HXKSA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET SIC DISCRETE
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
590,85 руб.
Нет в наличии
Описание IMW120R140M1HXKSA1
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | IMW120RXM1H |
| Вес изделия | 6.045 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 2.4 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 94 W |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 182 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 7 V, + 23 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |
| Типичное время задержки выключения | 10.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IMW120R140M1HXKSA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 346 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара