IPZ40N04S58R4ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPZ40N04S58R4ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
35,75 руб.
Внешние склады
-
201+ 293+ 584+ 2911+43,65 ₽ 37,64 ₽ 36,69 ₽ 35,75 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 201Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPZ40N04S58R4ATMA1
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 3.3 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 35.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | TSDSON-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 13.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 2 ns |
| Время нарастания | 2 ns |
| Типичное время задержки выключения | 3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPZ40N04S58R4ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара