TIP29, Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание TIP29
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | TIP29 |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 1.214 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 10.67 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Высота | 9.4 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 75 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара