IRF6620TRPBF, МОП-транзистор 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IRF6620TRPBF
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6.35 mm |
| Ширина | 5.05 mm |
| Высота | 0.7 mm |
| Упаковка / блок | DirectFET-MX |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 6.6 ns |
| Время нарастания | 80 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 89 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 27 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.45 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 110 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара