AUIRF7675M2TR, МОП-транзистор 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание AUIRF7675M2TR
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 6.35 mm |
| Ширина | 3.95 mm |
| Высота | 0.74 mm |
| Упаковка / блок | DirectFET-M2 |
| Конфигурация | Single Quad Drain Dual Source |
| Время спада | 7.5 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Технология | Si |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 47 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара