SH8K52GZETB, МОП-транзистор 100V NCH+NCH POWER
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SH8K52GZETB
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 8.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара