NVMFD5C466NWFT1G, моп-транзистор 40v 8.1 mohm t8 so-8fl dual dfn-8
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NVMFD5C466NWFT1G
Описание NVMFD5C466NWFT1G
| Технология | Si |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 136.090 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 49 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара