RGT16NS65DGTL, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 8A IGBT Stop Trench
Цена от:
182,11 руб.
Нет в наличии
Описание RGT16NS65DGTL
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | RGT16NS65D |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 94 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 16 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка RGT16NS65DGTL , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 8A IGBT Stop Trench
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
