SISS10DN-T1-GE3, МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Цена от:
133,91 руб.
Нет в наличии
Описание SISS10DN-T1-GE3
| Вес изделия | 265.798 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SIS |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Высота | 1.04 mm |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 57 W |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 19 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.65 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Qg - заряд затвора | 75 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SISS10DN-T1-GE3 , МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара