IRF7341GTRPBF, моп-транзистор planar 40<-<100v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IRF7341GTRPBF
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms, 65 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 2.4 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 12.5 ns, 12.5 ns |
| Время нарастания | 7.7 ns, 7.7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns, 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.2 ns, 9.2 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 10.4 S, 10.4 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара