IRF6668TRPBF, МОП-транзистор 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
111,34 руб.
Нет в наличии
Описание IRF6668TRPBF
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6.35 mm |
| Коммерческое обозначение | DirectFET |
| Ширина | 5.05 mm |
| Высота | 0.7 mm |
| Упаковка / блок | DirectFET-MZ |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 23 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 55 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 22 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 7.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 22 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IRF6668TRPBF , МОП-транзистор 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 500 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1836 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 783 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 1028 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара