NVMFS5C612NLT1G, МОП-транзистор NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NVMFS5C612NLT1G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SO-FL-8 |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 167 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 18 ns |
| Время нарастания | 51 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 235 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 91 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 151 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара