IRF6785MTRPBF, моп-транзистор 200v 1 x n-ch hexfet for digital audio
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IRF6785MTRPBF
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Вес изделия | 467.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | DirectFET |
| Высота | 0.7 mm |
| Длина | 6.35 mm |
| Ширина | 5.05 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | DirectFET-MZ |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 57 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 8.6 ns |
| Типичное время задержки выключения | 7.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.2 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара